Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/20.500.14279/1443| Τίτλος: | Interfacial stability and atomistic processes in the a-c/si(100) heterostructure system | Συγγραφείς: | Gioti, Maria Logothetidis, Stergios D. Kelires, Pantelis C. |
metadata.dc.contributor.other: | Κελίρης, Παντελής | Major Field of Science: | Natural Sciences | Λέξεις-κλειδιά: | Heterostructures;Carbon;Ellipsometry | Ημερομηνία Έκδοσης: | 1999 | Πηγή: | Physical Review B, 1999, vol. 59, no. 7, pp. 5074-5081 | Volume: | 59 | Issue: | 7 | Start page: | 5074 | End page: | 5081 | Περιοδικό: | Physical Review B | Περίληψη: | We study the interfacial properties of thin amorphous carbon films grown on silicon (100) substrates. By combining experimental spectroscopic ellipsometry and stress measurements and theoretical Monte Carlo simulations, we show that significant interdiffusion takes place at the initial stages of growth, driven by a strain mediated mechanism, and we identify the relevant atomistic processes. | URI: | https://hdl.handle.net/20.500.14279/1443 | ISSN: | 10980121 | DOI: | 10.1103/PhysRevB.59.5074 | Rights: | © American Physical Society | Type: | Article | Affiliation: | University of Crete | Affiliation: | University of Crete Foundation for Research & Technology-Hellas (F.O.R.T.H.) Aristotle University of Thessaloniki |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Άρθρα/Articles |
CORE Recommender
SCOPUSTM
Citations
22
checked on 9 Νοε 2023
WEB OF SCIENCETM
Citations
50
22
Last Week
0
0
Last month
0
0
checked on 31 Οκτ 2023
Page view(s) 50
356
Last Week
0
0
Last month
7
7
checked on 9 Μαϊ 2024
Google ScholarTM
Check
Altmetric
Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα