Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο: https://hdl.handle.net/20.500.14279/13416
Τίτλος: Optimisation and Simulation of RC Time Constants in Snubber Circuits
Συγγραφείς: Mohanram, Sat 
Darwish, Mohamed 
Marouchos, Christos 
metadata.dc.contributor.other: Μαρούχος, Χρίστος
Major Field of Science: Engineering and Technology
Field Category: Electrical Engineering - Electronic Engineering - Information Engineering
Λέξεις-κλειδιά: Hard switching;Input-output parameters;Simulation;Snubber Circuit (RC);Switching frequency;Losses;TC Optimizations
Ημερομηνία Έκδοσης: Νοε-2018
Πηγή: 53rd International Universities Power Engineering Conference, 2018, 4-7 September, Glasgow, United Kingdom;
Conference: International Universities Power Engineering Conference 
Περίληψη: Semiconductor devices are subjected to elevated levels of stresses when used at high voltage high current and temperature applications. This stress is mainly due to hard switching which is proportional to the switching frequency. This paper presents methods used to remove this energy to prevent expensive switch damage due to overheating and high dv/dt oscillations. In confirmation of the research title, the process in the determination of 'RC' in snubber circuits has been proven by OrCAD optimisation and presented.
URI: https://hdl.handle.net/20.500.14279/13416
DOI: 10.1109/UPEC.2018.8542111
Rights: © 2018 IEEE.
Type: Conference Papers
Affiliation: Brunel University 
Cyprus University of Technology 
Εμφανίζεται στις συλλογές:Δημοσιεύσεις σε συνέδρια /Conference papers or poster or presentation

CORE Recommender
Δείξε την πλήρη περιγραφή του τεκμηρίου

SCOPUSTM   
Citations 50

1
checked on 6 Νοε 2023

Page view(s) 50

293
Last Week
2
Last month
9
checked on 11 Μαϊ 2024

Google ScholarTM

Check

Altmetric


Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα