Παρακαλώ χρησιμοποιήστε αυτό το αναγνωριστικό για να παραπέμψετε ή να δημιουργήσετε σύνδεσμο προς αυτό το τεκμήριο:
https://hdl.handle.net/20.500.14279/2925| Τίτλος: | Experimental and theoretical analysis of the recombination processes in GaInNs 1.3 μm lasers | Συγγραφείς: | Choulis, Stelios A. Tomić, Stanko S. Fehse, Robin |
metadata.dc.contributor.other: | Χούλης, Στέλιος Α. | Λέξεις-κλειδιά: | Electrons;Nitrogen;Quantum wells;Resonance;Gallium arsenide;Indium compounds | Ημερομηνία Έκδοσης: | 2002 | Πηγή: | IEEE 18th international semiconductor laser conference, 2002, Pages 41-42 | Περίληψη: | By measuring the spontaneous emission from normally operating ∼1.3 μm GaInNAs/GaAs-based lasers we have quantitatively determined the variation of each of the current paths present in the devices as a function of temperature from 130 K to 370 K | URI: | https://hdl.handle.net/20.500.14279/2925 | ISBN: | 0-7803-7598-X | DOI: | 10.1109/ISLC.2002.1041108 | Rights: | © IEEE | Type: | Book Chapter | Affiliation: | University of Surrey |
| Εμφανίζεται στις συλλογές: | Κεφάλαια βιβλίων/Book chapters |
CORE Recommender
Page view(s) 20
519
Last Week
0
0
Last month
9
9
checked on 29 Αυγ 2024
Google ScholarTM
Check
Altmetric
Όλα τα τεκμήρια του δικτυακού τόπου προστατεύονται από πνευματικά δικαιώματα